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ISL9R3060G2,
I
SL9R3060P2
—
STEALTH? Diode
Figure 7.
Reverse Recovery
So
ftness Factor
vs
diF/dt
μdiF/dt,
CURRE
NT
RA
TE
O
F
CHANGE (A/μs)
s)
Figure
8.
Reverse Recovery Charge
vs
d
iF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves
(Continued)
diF/dt, CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VR
= 390V, T
J
= 125°C
IF
= 60A
IF
= 30A
IF
= 15A
S, REVERSE RECOVERY SOF
T
NESS FACTOR
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
200
400
600
800
1000
1200
VR
= 390V, T
J
= 125°C
IF
= 60A
IF
= 30A
IF
= 15A
Q
RR
, REVERSE RECOVERY CHARGE (nC)
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
400
0
800
600
200
1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0.1
1
100
10
t, RECTANGULAR PULSE
DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA
, NORMALIZED
THERMAL IMPEDA
NCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
Figure 10. Forward Current Derating Curve
25 50 75 100 125 150 175
0
15
30
45
60
75
90
Average Forward Current, I
F(AV)
(A)
Case temperature, TC
(
oC)
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
4
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